ताटा इलेक्ट्रॉनिक्स ने सेमीकंडक्टर निर्माण के लिए रोहम के साथ साझेदारी की
ताटा इलेक्ट्रॉनिक्स ने जापान की रोहम के साथ पावर सेमीकंडक्टर बनाने के लिए साझेदारी की है, जिसका फोकस ऑटोमोटिव-ग्रेड घटकों पर है। N-channel सिलिकॉन MOSFET का प्रारंभिक उत्पादन अगले साल शुरू होने की अपेक्षा है, जो भारत की चिप निर्माण क्षमताओं को मजबूत करेगा।
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ताटा इलेक्ट्रॉनिक्स ने जापान की रोहम के साथ एक रणनीतिक साझेदारी बनाई है, जिसका उद्देश्य भारत में पावर सेमीकंडक्टर का निर्माण करना है। यह सहयोग घरेलू और अंतरराष्ट्रीय बाजारों के लिए एक निर्माण ढांचा तैयार करने की दिशा में है, खासकर ऑटोमोटिव-ग्रेड घटकों पर ध्यान केंद्रित करते हुए। N-channel सिलिकॉन MOSFETs का प्रारंभिक उत्पादन अगले साल शुरू होने की योजना है, जिससे भारत के सेमीकंडक्टर पारिस्थितिकी तंत्र को बढ़ावा मिलेगा।
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